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发布时间:2024-05-26 21:45:20

[单选题](77393)由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度( )电力MOSFET。(2.0分)
A.低于
B.等于
C.高于
D.无法比较

更多"[单选题](77393)由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使I"的相关试题:

[判断题]绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
A.正确
B.错误
[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成。
[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复
合而成。
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应晶体管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为(  )。
A.电压
B.电流
C.双极型为电压、场效应为电流
D. 双极型为电流、场效应为电压
[填空题]高频开关稳压电源是指功率晶体管工作在高频开关状态的直流稳压电源,其主要组成部分是直流( )变换器,分类方法有多种。
[单选题]高频开关稳压电源是指功率晶体管工作在高频开关状态的直流稳压电源,其主要组成部分是( )变换器,分类方法有多种
A.交流(AC/AC)
B.直流(DC/DC)
C.(AC/DC)
D.(DC/AC)
[单选题]高频开关稳压电源是指功率晶体管工作在高频开关状态的直流稳压电源,其主要组成部分是直流(DC/DC)变换器,分类方法有多种,按激励方式可分为自激式和( )式
A.他激
B.降压
C.反相
D.同相
[单选题](78562)双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为( )。(2.0分)
A.均为电压控制
B.均为电流控制
C.双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制
D.双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制
[单选题]绝缘栅双极晶体管( )电路。
A.不必有专门的强迫换流
B.可能有专门的强迫换流
C.必须有专门的强迫换压
D.可以有专门的强迫换压
[单选题]晶体管无触点开关的应用范围比普通位置开关更()。
A.窄
B.广
C.接近
D.极小
[单选题]绝缘栅双极型晶体管是( )。
A. GTR
B. MOSFET
C. IGBT
D. 电阻
[判断题]高铁接触网隔离开关按极性分,有单极隔离开关和双极隔离开关。
A.正确
B.错误
[单选题]绝缘栅双极晶体管内部为( )层结构。
A.1
B.2
C.3
D.4

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