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[填空题]晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
[填空题]晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
[判断题]用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
[单项选择]晶闸管导通时的管压降约（）V。
A. 0.1
B. 1
C. 3
D. 5
[单项选择]可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右
A. 0.3
B. 1
C. 0.7
D. 1.5
[单项选择]管压降是指二级管导通时的（）
A. 压降
B. 反向压降
C. 正向压降
D. 电压降
[判断题]稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的导通区内。（）
[单项选择]从二极管伏安特性看，当（）时，二极管的导通电阻小.
A. 正向特性曲线陡直
B. 正向特性曲线平缓
C. 反向特性曲线陡直
D. 反向特性曲线平缓
[填空题]降低槽工作电压可以从降低导杆和阳极大母线接触压降、降低卡具压降、端头压降、短路口压降、阳极压降、阴极压降和（）等方面着手。
[填空题]槽电压主要由阳极压降、阴极压降、（）、分解与极化压降、电解质压降以及（）分摊电压组成。
[判断题]晶闸管导通后，正半周内继续导通的角度称为导通角。
[单项选择]可控硅在正半周中导通的范围称为导通角，导通角与输出电压的关系是（）。
A. 导通角越大，输出电压越高
B. 导通角越大，输出电压越低
C. 导通角与输出电压无关
[判断题]反应器的压降由反应器内构件压降和催化剂床层压降两部分组成。（）
