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[填空题]晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
[填空题]二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
[单项选择]NPN、PNP三极管作放大时，其发射结（）。
A. 均加反向电压
B. 均加正向电压
C. NPN管加正向电压、PNP管加反向电压
D. PNP管加正向电压、NPN管加反向电压
[单项选择]当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将（）。
A. 反向
B. 增大
C. 中断
D. 减小
[单项选择]晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。
A. 发射结反偏
B. 集电结反偏
C. 基结反偏
D. 接收结反偏
[单项选择]三极管的集电结与发射结都处与反向偏值状态，则三极管工作在（）。
A. 截止区
B. 放大区
C. 饱和区
[填空题]晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。
[单项选择]三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。
A. 截止区
B. 饱和区
C. 放大区
D. 耗散区
[填空题]晶体三极管在放大区域工作时，发射结两端所加的电压是（）电压，其输入电阻一般约为（），所以三极管的输入端要从外加信号电源中吸取电流。
[填空题]当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降（）。
[填空题]当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
[判断题]晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
[单项选择]锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
A. 0.3V
B. 0.4V
C. 0.5V
D. 0.7V
[单项选择]晶体三极管具有放大作用，发射结和集电结必须分别加（）。
A. 正向偏置和反向偏置
B. 反向偏置和正向偏置
C. 均为正向偏置
[单项选择]晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于（）偏置。
A. 正向
B. 反向
C. 顺向
D. 负向
[填空题]对发射极直接接地的三极管，测量发射结电压与测量（）的说法是完全一致的。
[填空题]晶体三极管的特性可分为（）特性和（）特性及反向击穿特性。
[单项选择]晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）
A. 发射结正偏、集电结反偏
B. 发射结正偏、集电结正偏
C. 发射结反偏、集电结正偏
D. .发射结反偏、集电结反偏
[单项选择]晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）
A. 发射结正偏、集电结反偏
B. 发射结正偏、集电结正偏
C. 发射结反偏、集电结正偏
D. 发射结反偏、集电结反偏
