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[多项选择]下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
A. 硼
B. 锡
C. 锑
D. 磷
E. 砷
[单项选择]化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。
A. 锡
B. 硼
C. 磷
D. 锰
[单项选择]半导体硅常用的受主杂质是（）。
A. 锡
B. 硫
C. 硼
D. 磷
[单项选择]半导体中施主能级的位置位于（）。
A. 禁带
B. 满带
C. 导带
D. 价带
[单项选择]半导体中施主能级的位置位于（）中。
A. 禁带
B. 价带
C. 导带
D. 满带
[单项选择]在半导体中，（）的结构比较特殊，以常用的半导体材料锗和硅来说，它们的原子核最外层有四个价电子。
A. 分子
B. 中子
C. 原子
D. 离子
[单项选择]半导体的导电性介于导体与绝缘体之问。常用的半导体材料有：硅（Si）和锗（Ge）。原子结构的最外层轨道上有（）个价电子。
A. 2
B. 3
C. 4
D. 5
[单项选择]在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。
A. P
B. N
C. PN
D. PNP
[单项选择]在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。
A. 提高半导体的导电能力
B. 降低半导体的导电能力
C. 制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件
D. 产生PN结
[判断题]型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
[单项选择]表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
A. 分凝度
B. 固溶度
C. 分凝系数
D. 扩散系数
[简答题]例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？
[填空题]在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
[单项选择]半导体渗入杂质后，其导电率（）。
A. 显著增大
B. 显著减少
C. 变化不明显
D. 不会改变
[填空题]杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
[单项选择]如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
A. 1/（NA-ND.eｕp
B. 1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
C. 1/（NA+ND.eｕp
[单项选择]因半导体中掺加的杂质不同，可将半导体分为（）型两类。
A. N、P
B. NP、PN
C. NPN、PNP
D. 以上均不对
