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[判断题]大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
[判断题]对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
[多项选择]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区
[填空题]随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
[判断题]在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
[单项选择]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A. 薄膜厚度
B. 图形宽度
C. 图形长度
D. 图形间隔
[填空题]刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
[填空题]半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
[单项选择]无刻蚀镀铁是为了（）而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量；Ⅱ.发展镀铁工艺；Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点；Ⅳ.提高镀铁效率；Ⅴ.简化工艺。
A. Ⅰ＋Ⅲ＋Ⅴ
B. Ⅰ＋Ⅳ＋Ⅴ
C. Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅴ
D. Ⅱ＋Ⅳ＋Ⅴ
[判断题]高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
[填空题]微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
[多项选择]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A. 二氧化硅氮化硅
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅
[判断题]各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
[单项选择]微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
[填空题]刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
[判断题]刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
[判断题]干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
[单项选择]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A. n型掺杂区
B. P型掺杂区
C. 栅氧化层
D. 场氧化层
