更多"刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目"的相关试题:
[判断题]在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
[判断题]不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
[单项选择]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A. 薄膜厚度
B. 图形宽度
C. 图形长度
D. 图形间隔
[填空题]刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
[判断题]光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
[多项选择]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A. 二氧化硅氮化硅
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅
[判断题]各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
[判断题]刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[判断题]干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
[单项选择]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A. n型掺杂区
B. P型掺杂区
C. 栅氧化层
D. 场氧化层
[单项选择]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 单晶硅
D. 多晶硅
[单项选择]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A. 选择性
B. 均匀性
C. 轮廓
D. 刻蚀图案
[判断题]表面粗糙度符号表示表面是用去除材料的方法获得，表示表面是用不去除材料的方法获得。
[判断题]在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
[判断题]大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
[单项选择]硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
[判断题]在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
