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发布时间:2023-10-14 04:43:10

[多项选择]超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。
A. 高分辨率
B. 高灵敏度
C. 精密的套刻对准
D. 大尺寸
E. 低缺陷

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[简答题]什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?
[判断题]最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
[简答题]光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?
[单项选择]光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是()。
A. 150-200℃
B. 200℃左右
C. 250℃左右
D. 300℃左右
[简答题]简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?
[单项选择]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
A. 刻制图形
B. 绘制图形
C. 制作图形
[简答题]典型的光刻工艺主要有哪几步?简述各步骤的作用。
[名词解释]光刻
[填空题]光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。
[简答题]什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。
[单项选择]光刻加工的工艺过程为:()
A. ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B. ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C. ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
[填空题]光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
[单项选择]光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。
A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
[判断题]光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
[单项选择]()只要求具备较好的工艺性能。
A. 一般结构钢板
B. 高温合金板
C. 不锈钢
D. 硅钢板
[简答题]解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
[填空题]为了保证产品品质和满足成型的工艺要求,坯料的品质要求应具备:()。
[多项选择]系统安装工艺要求包括()的工艺要求。
A. 设备安装;
B. 线缆布放;
C. 天线安装;
D. 系统调测。
[简答题]浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。

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