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[单项选择]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A. 刻蚀速率
B. 选择性
C. 各向同性
D. 各向异性
[填空题]微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
[判断题]光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[判断题]各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
[填空题]刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
[多项选择]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区
[多项选择]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A. 二氧化硅氮化硅
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅
[判断题]在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
[判断题]干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
[单项选择]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A. n型掺杂区
B. P型掺杂区
C. 栅氧化层
D. 场氧化层
[单项选择]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 单晶硅
D. 多晶硅
[单项选择]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A. 选择性
B. 均匀性
C. 轮廓
D. 刻蚀图案
[判断题]大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
[单项选择]硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
[判断题]在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
[判断题]对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
