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[填空题]CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
[填空题]禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
[单项选择]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A. 越不容易受
B. 越容易受
C. 基本不受
[单项选择]材料的禁带宽度，最大的是（）
A. 金属；
B. 杂质半导体；
C. 绝缘体；
D. 本征半导体；
[填空题]为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
[单项选择]若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）
A. hfB.hf>Eg
B. hf=Eg
[填空题]存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。
[判断题]为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
[单项选择]已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。
A. 0.886eV
B. 1eV
C. 2eV
D. 1.3eV
[填空题]半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
[填空题]为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
[填空题]GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
[填空题]通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
[填空题]太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
[单项选择]非晶硅薄膜组件效率不低于（）。
A. 0.15
B. 0.1
C. 0.14
D. 0.06
[单项选择]下列不属于非晶硅优点的是（）.
A. 制备方法简单
B. 工艺成本低
C. 制备温度高
D. 可大面积制备
[单项选择]以下哪些不是非晶硅太阳能电池的优点（）
A. 衰减弱
B. 成本低
C. 重量低
D. 稳定性好
[单项选择]国内首创采用非晶硅薄膜、晶体硅混合的光伏电池方阵应用在以下哪个项目：（）
A. 敦煌项目
B. 上海市崇明岛项目
C. 青海省位处柴达木盆地
D. 内蒙古鄂尔多斯项目
