更多"CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的"的相关试题:
[填空题]氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
[填空题]禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
[单项选择]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A. 越不容易受
B. 越容易受
C. 基本不受
[单项选择]材料的禁带宽度，最大的是（）
A. 金属；
B. 杂质半导体；
C. 绝缘体；
D. 本征半导体；
[填空题]为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
[单项选择]若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）
A. hfB.hf>Eg
B. hf=Eg
[填空题]存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。
[判断题]为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
[单项选择]已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。
A. 0.886eV
B. 1eV
C. 2eV
D. 1.3eV
[填空题]半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
[填空题]为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
[填空题]GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
[填空题]通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
[填空题]太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
[简答题]PATHBALANCE偏大或偏小的原因？
[单项选择]能造成观察结果倾向性的偏大或偏小的误差是（）。
A. 随机测量误差
B. 抽样误差
C. 系统误差
D. 观察误差
E. 以上均不对
[单项选择]电磁流量计在工作时流量累计值偏小或偏大的可能原因是（）。
A. 传感器失灵
B. 流体未充满管道
C. 管路有泄漏或堵塞
D. 接地有故障
[单项选择]N型半导体的费米能级处于禁带（）。
A. 中间
B. 上部
C. 下部
D. 不确定.
[填空题]风轮机的（）偏低，风能没有被高效利用。原因是（）设计偏小，（）偏低，（）偏离最佳高速特性数。
