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[单项选择]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
A. 0.7V；0.3V
B. 0.2V；0.3V
C. 0.3V；0.7V
D. 0.7V；0.6V
[填空题]硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。
[单项选择]晶闸管导通时的管压降约（）V。
A. 0.1
B. 1
C. 3
D. 5
[单项选择]可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右
A. 0.3
B. 1
C. 0.7
D. 1.5
[填空题]降低槽工作电压可以从降低导杆和阳极大母线接触压降、降低卡具压降、端头压降、短路口压降、阳极压降、阴极压降和（）等方面着手。
[填空题]槽电压主要由阳极压降、阴极压降、（）、分解与极化压降、电解质压降以及（）分摊电压组成。
[判断题]晶闸管导通后，正半周内继续导通的角度称为导通角。
[单项选择]可控硅在正半周中导通的范围称为导通角，导通角与输出电压的关系是（）。
A. 导通角越大，输出电压越高
B. 导通角越大，输出电压越低
C. 导通角与输出电压无关
[判断题]反应器的压降由反应器内构件压降和催化剂床层压降两部分组成。（）
[填空题]电解槽工作电压由母线压降，阳极压降，阴极压降，（），（）五部分组成。
[填空题]电解槽工作电压由阳极压降、电解质压降、（）、极化电压和母线压降组成。
[填空题]槽工作电压是由电解槽的（）、（）、分解压降、电解质压降、槽周围母线压降组成。
[简答题]锅炉正常压降是多少？压降与哪些因素有关？
[判断题]MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。
