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[单项选择]硅二极管的正向压降是（）。
A. 0.7V
B. 0.2V
C. 1V
[单项选择]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
A. 0.7V；0.3V
B. 0.2V；0.3V
C. 0.3V；0.7V
D. 0.7V；0.6V
[单项选择]若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）
A. 0.3
B. 0.7
C. 0
D. 10
[单项选择]硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
A. 0.3
B. 0.7
C. 1
[单项选择]晶闸管导通时的管压降约（）V。
A. 0.1
B. 1
C. 3
D. 5
[单项选择]把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）
A. 基本正常
B. 将被击穿
C. 将被烧坏
[单项选择]硅二极管具有（）导电性能。
A. 以上均可以
B. 双向
C. 反向
D. 单向
[判断题]可控硅的控制极断了，可以当硅二极管使用。
[单项选择]当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）
A. 很小的电阻
B. 很大的电阻
C. 断路
[单项选择]当硅二极管加上0、3V正向电压时，该二极管相当于（）。
A. 小阻值电阻
B. 阻值很大的电阻
C. 内部短路
D. 断路
[判断题]三只普通硅二极管串联，可作2.1伏稳压管使用。
[单项选择]当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时，则（）。
A. 二极管电流增大
B. 二极管过流损坏
C. 二极管击穿
D. 二极管电流基本不变
[单项选择]交流充电发电机的硅二极管损坏一个或二个，将造成充电系（）。
A. 不充电
B. 充电电流不稳
C. 充电电流过小
D. 充电电流过大
[单项选择]可控硅在正半周中导通的范围称为导通角，导通角与输出电压的关系是（）。
A. 导通角越大，输出电压越高
B. 导通角越大，输出电压越低
C. 导通角与输出电压无关
[填空题]电解槽工作电压由阳极压降、电解质压降、（）、极化电压和母线压降组成。
[填空题]槽工作电压是由电解槽的（）、（）、分解压降、电解质压降、槽周围母线压降组成。
