更多"PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型"的相关试题:
[填空题]P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
[填空题]空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
[简答题]N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
[填空题]n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
[填空题]自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
[单项选择]在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
A. 三价
B. 四价
C. 五价
[单项选择]P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。
A. 空穴
B. 电子
C. 光敏
D. 热敏。
[填空题]电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动，称之为（）运动。
[填空题]发光二极管是（）载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。
[填空题]P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
[填空题]在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
[简答题]了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
[填空题]PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
[判断题]自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
[填空题]半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
