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[单项选择]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
A. 空穴／自由电子
B. 自由电子／空穴
C. 空穴／共价键电子
D. 负离子／正离子
[判断题]N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
[填空题]N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
[判断题]N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
[简答题]N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
[判断题]在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
[填空题]PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
[判断题]P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
[单项选择]N型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[单项选择]N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[单项选择]在N型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 硅
C. 电子
D. 锗
[单项选择]P型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[填空题]掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
[单项选择]P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[填空题]本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
[单项选择]在P型半导体中，（）是少数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[单项选择]在P型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[判断题]单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
[填空题]纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（）和（）。
