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[单项选择]N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[单项选择]P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[判断题]P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
[单项选择]P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。
A. 空穴
B. 电子
C. 光敏
D. 热敏。
[填空题]P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
[填空题]n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
[单项选择]在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
A. 三价
B. 四价
C. 五价
[单项选择]N型半导体中的自由电子是（）形成的。
A. 掺杂
B. 能量击发
C. 掺杂与能量击发
[判断题]因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
[填空题]掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
[填空题]PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
[单项选择]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
A. 空穴／自由电子
B. 自由电子／空穴
C. 空穴／共价键电子
D. 负离子／正离子
[单项选择]本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
A. 自由电子，空穴；扩散，飘移
B. 空穴，自由电子；漂移，扩散
C. 空穴，自由电子；扩散，漂移
D. 自由电子，空穴；漂移，扩散
E. 自由电子，空穴；扩散，扩散
[单项选择]P型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[单项选择]N型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[单项选择]在P型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[单项选择]在N型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 硅
C. 电子
D. 锗
[单项选择]在P型半导体中，（）是少数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
