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[单项选择]N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[判断题]N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
[填空题]n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
[单项选择]在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
A. 三价
B. 四价
C. 五价
[单项选择]P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。
A. 空穴
B. 电子
C. 光敏
D. 热敏。
[单项选择]N型半导体中的自由电子是（）形成的。
A. 掺杂
B. 能量击发
C. 掺杂与能量击发
[判断题]因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
[填空题]P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
[填空题]PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
[单项选择]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
A. 空穴／自由电子
B. 自由电子／空穴
C. 空穴／共价键电子
D. 负离子／正离子
[单项选择]N型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[单项选择]P型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[判断题]统计证明，电路的断线故障远远多于电路的混线故障。
[单项选择]在N型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 硅
C. 电子
D. 锗
[单项选择]在P型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[单项选择]部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 质子
C. 空穴
[填空题]掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
[判断题]单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
[单项选择]生产中，曲轴的弯曲疲劳破坏远远多于扭转疲劳破坏，其主要原因是曲轴的弯曲（）难于精确计算和难于控制。
A. 负荷
B. 附加负荷
C. 应力
D. 变形
