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[单选题]抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于膜对哪种离子通透性增加引起的?
A.Na+、K+、CI尤其是Na+
B.Na+、K+、CI尤其是K+
C.K+、CT尤其是CT
D.Ca2+、K+、CI尤其是Ca2+
E.K+、CT尤其是K+
[单选题]兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是
A.A:突触后膜均去极化
B.B:突触前膜均去极化
C.C:突触前膜释放的递质性质一样
D.D:突触后膜对离子通透性一样
E.E:产生的突触后电位最终效应一样
[单选题]抑制性突触后电位导致突触后神经元活动减弱的原因
A.突触前神经元活动减弱
B.兴奋性突触释放递质的量减少
C.突触后膜电位超极化
D.轴突始段去极化
E.突触前膜电位超极化
[单选题]突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位
A.Na+、Cl-尤其是Cl-
B.Na+、Cl-尤其是Na+
C.K+、Cl-尤其是K+
D.K+、Cl-尤其是Cl-
E.Ca2+、Cl-尤其是Ca2+
[单选题]抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.Na+、K+，尤其是对K+
B.Ca2+、K+，尤其是对Ca2+
C.Na+、K+，尤其是对Na+
D.K+、Cl-，尤其是对Cl-
E.K+、Ca2+，尤其是对Ca2+
[单选题]抑制性突触后电位的产生主要与哪种离子跨突触后膜内流有关
A.Na+
B.Ca2+
C.K+
D.Cl—
E.Mg2+
[单选题]抑制性突触后电位:
A.由突触前末梢递质释放减少而产生
B.使突触后膜电位远离阈电位水平
C.由突触后膜Na+电导增加而产生
D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生
E.是一种去极化抑制的突触后电位
[单选题]抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na+通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
[单选题]抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致:
A. Na+、K+、Cl -,尤其是 K+
B. Na+、K+、Cl -,尤其是 Na+
C. K+、Cl -,尤其是 Cl-
D. K+、Cl -,尤其是 K+
E. Ca2+、K+、Cl -,尤其是 Ca2+
[单选题]抑制性突触后电位时，（ ）通透性增大。
A.A:K+
B.B:Na+
C.C:Ca2+
D.D:Cl-
E.E:Na+和Cl-
[单选题]抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na+ 内流
B.K+ 内流
C.Ca2+ 内流
D.Cl- 内流
E.K+ 外流
