更多"下列关于场效应管的说法中，错误的是："的相关试题:
[填空题]场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）
[单项选择]电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
A. 稍高于
B. 低于
C. 远高于
D. 等于
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[判断题]利用电场效应来控制电流的PN结称为场效应管。
[单项选择]电力场效应管MOSFET是（）器件。
A. 双极型
B. 多数载流子
C. 少数载流子
D. 无载流子
[单项选择]绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
A. 稍高于
B. 低于
C. 等于
D. 远高于
[单项选择]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
A. 高
B. 相同
C. 低
D. 不一定高
[单项选择]电力场效应管适用于（）容量的设备。
A. 高速大
B. 低速大
C. 高速小
D. 低速小
[单项选择]电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A. 直流
B. 低频
C. 中频
D. 高频
[单项选择]场效应管的漏极用英文字母（）表示.
A. S；
B. G；
C. D；
D. V
[单项选择]电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
A. 电压
B. 电流
C. 电阻
D. 功率
[判断题]电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
[单项选择]场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。
A. 少子
B. 电子
C. 多子
D. 两种载流子
[单项选择]在斩波器中，采用电力场效应管可以（）。
A. 提高斩波频率
B. 降低斩波频率
C. 提高功耗
D. 降低斩波效率
[单项选择]关于半规管说法错误的是
A. 位于前庭后上方
B. 包含外、前、后三个半规管
C. 每个半规管两端均开口于前庭，其一端膨大名壶腹
D. 两侧外半规管在同一平面，一侧前半规管与对侧后半规管所在平面互相平行
E. 膜半规管附着于骨半规管外侧壁，借6孔与椭圆囊相通
[单项选择]关于鼓窦说法错误的是
A. 为鼓室后上方的含气腔
B. 前经鼓窦入口与中鼓室相通
C. 后下通乳突气房
D. 上以鼓窦天盖与颅中窝相隔
E. 外侧为乳突皮质
[判断题]晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
