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[判断题]877/1137 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A.正确
B.错误
[判断题]97 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A.正确
B.错误
[判断题]工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。（）
A.正确
B.错误
[判断题]972/1137 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A.正确
B.错误
[判断题]50 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
A.正确
B.错误
[判断题]508/1137 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
A.正确
B.错误
[判断题]105 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
A.正确
B.错误
[判断题]1059/1137 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
A.正确
B.错误
[不定项选择题]产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（ ）
A.A：额定整流电流
B.B：额定负荷电流
C.C：额定反峰电压
D.D：额定工作电压
[判断题]50 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
A.正确
B.错误
[判断题]507/1137 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
A.正确
B.错误
[单选题]249/1137 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。
A.A：.额定整流电流
B.B：.额定负荷电流
C.C：.额定开断电流
[判断题]920/1137 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A.正确
B.错误
[判断题]1062/1137 产生直流高压的半波整流电路由升压试验变压器T、高压硅堆V、滤波电容C和保护电阻R构成。
A.正确
B.错误
