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[判断题]92 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A.正确
B.错误
[判断题]920/1137 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A.正确
B.错误
[单选题]249/1137 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。
A.A:.额定整流电流
B.B:.额定负荷电流
C.C:.额定开断电流
[单选题] 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。
A. 额定整流电流
B. 额定负荷电流
C. 额定开断电流
[判断题]87 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A.正确
B.错误
[判断题]105 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
A.正确
B.错误
[判断题]97 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A.正确
B.错误
[判断题]877/1137 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A.正确
B.错误
[判断题]1059/1137 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
A.正确
B.错误
[判断题]产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
A.正确
B.错误