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[简答题]兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？
[简答题]试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？
[多项选择]抑制性突触后电位（ ）
A. 是“全或无”式的
B. 有总和现象
C. 幅度较兴奋性突触后电位大
D. 是突触后膜对Cl的通透性减少的结果
E. 是突触后膜对Cl的通透性增加的结果
[多项选择]关于抑制性突触后电位不正确（ ）
A. 不能发生时间和空间总和
B. 能发生时间和空间总和
C. 不存在于脊髓反射过程中
D. 与突触后膜对Cl通透性增加有关
E. 可发生在突触前抑制过程中
[单项选择]下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A. 是局部除极化电位
B. 具有"全或无"性质
C. 是局部超极化电位
D. 由突触前膜递质释放量减少所致
E. 由突触后膜对钠通透性增加所致
[单项选择]关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（ ）
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca、K的通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜电位负值增大，出现超极化
E. 突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大
[单项选择]抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）
A. Cl—
B. K+
C. Na+
D. Fe2+
E. Ca2+
[单项选择]关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误（ ）
A. Cl通道开放可降低IPSP
B. 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C. IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D. IPSP使神经元的兴奋性增加
E. IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
