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[判断题]三极管是由3个PN结构成的一种半导体器件。（）
[单项选择]晶体三极管是具有( )作用的半导体器件。
A. 缩小
B. 放大
C. 滤波
D. 计算
[单项选择]晶体三极管是由（）个PN结构成的半导体器件。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
[判断题]发光二极管是一种把电能转换成光能的半导体器件。
[判断题]光电池是一种能把光能转换成电能的半导体器件。
[单项选择]在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件，一种是（），比如压敏电阻，半导体稳压管等；另一种是导通型器件，比如气体管、固体管、雪崩二极管等。
A. 钳位型器件
B. 导通型器件
C. 线性器件
[单项选择]三极管是器件（）。
A. 电压控制电压
B. 电流控制电压
C. 电压控制电流
D. 电流控制电流
[简答题]简述半导体气敏器件的分类和它们的代表性被测气体分别是什么？
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。
[判断题]可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）
[单项选择]半导体三极管工作过程中（）。
A. 发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；
B. 发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；
C. 发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；
D. 发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
[单项选择]半导体三极管的放大条件是（）。
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结正偏，集电结正偏
C. 发射结反偏，集电结正偏
D. 发射结反偏，集电结反偏
[单项选择]晶体三极管内部有（）半导体材料构成。
A. 2层
B. 3层
C. 4层
D. 5层
[单项选择]对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）
A. 放大状态
B. 截止状态
C. 饱和状态
D. 无法确定
E. 导通状态
