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[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高模拟量输入电路的抗干扰能力,可采用差动输入方式。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]可控硅为了提高抗干扰能力,避免误触发,必要时可以在控制极上加上绝对值不大于()的负偏压。
A.3V
B.5V
C.7V
D.10V
[单选题]可控硅为了提高抗干扰能力,避免误触发,在控制极上加上一个对阴极为负的电压,一般加()的负偏压就可以了。
A.1~2V
B.2~3V
C.3~4V
D.4~5V
[判断题]为了提高传输的可靠性,对遥测、遥信信息要进行抗干扰编码。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高远动信息传输的可靠性,对遥测、遥信信息要进行抗干扰编码。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]若提高数字电压表的测量速度，就能增加数字电压表的抗干扰能力。
A.正确
B.错误
[单选题]为提高电能信息采集系统的可靠性和抗干扰能力，可采取（ ）的措施。
A.降低传输速度，减少信号重发次数
B.降低传输速度，增加信号重发次数
C.提高传输速度，增加信号重发次数
D.提高传输速度，减少信号重发次数
[判断题]为提高抗干扰能力，微机型保护的电流引入线，应采用屏蔽电缆，屏蔽层应在开关场和控制室同时接地。
A.正确
B.错误
[单选题]在反相器电路中,装上加速电容器的目的是为了()。
A.确保晶体三极管可靠截止
B.确保晶体三极管可靠饱和
C.提高开关速度、改善输出波形
D.上述答案均正确
[判断题]DVM的抗干扰能力一般可用串模干扰抑制比和共模干扰抑制比来表征。
A.正确
B.错误
[多选题]为提高无线电力负荷控制系统的可靠性和抗干扰性能力，可采取( )的措施。 ( )
A. 减少信号重发次数
B.降低传输速度
C. 增加信号重发次数
D. 提高传输速度
[简答题]DS6-K5B系统内各微机之间的通信全部通过(（ ）)连接，提高了系统抗干扰能力和防雷性能，保证系统具有高的运行稳定性。
[单选题]三极管反相器可以将信号波形反相,并且()信号幅度。
A.维持
B.减小
C.增大
D.控制
[简答题]一次雷达的抗干扰能力与接收机的动态范围大小无关
