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[判断题]( ) 为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高模拟量输入电路的抗干扰能力,可采用差动输入方式。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]为了提高电子设备的防电磁泄漏和抗干扰能力，可采取的主要措施是( )。[1分]
A.对机房进行防潮处理
B.对机房或电子设备进行电磁屏蔽处理
C.对机房进行防静电处理
D.对机房进行防尘处理
[单选题]微机保护为提高抗干扰能力开关站至保护屏控制电缆屏蔽层接地方式为（）
A.开关站接地，保护屏不接地
B.开关站不接地，保护屏接地
C.两侧接地
D.两侧不接
[单选题]微机保护为提高抗干扰能力,一次设备场所至保护屏控制电缆的屏蔽层接地方式为( )。
A. 开关站接地,保护屏不接地
B. 开关站不接地,保护屏接地
C. 两侧接地
D. 两侧不接地
[判断题]若提高数字电压表的测量速度，就能增加数字电压表的抗干扰能力。
A.正确
B.错误
[单选题]1.44.第44题
微机保护为提高抗干扰能力开关站至保护屏控制电缆屏蔽层接地方式为()
A.两侧接地
B.两侧不接地
C.开关站接地,保护屏不接地
D.开关站不接地,保护屏接地
[单选题]为提高电能信息采集系统的可靠性和抗干扰能力，可采取（ ）的措施。
A.降低传输速度，减少信号重发次数
B.降低传输速度，增加信号重发次数
C.提高传输速度，增加信号重发次数
D.提高传输速度，减少信号重发次数
[判断题]为提高抗干扰能力，微机型保护的电流引入线，应采用屏蔽电缆，屏蔽层应在开关场和控制室同时接地。
A.正确
B.错误
[单选题]为提高用电信息采集系统的可靠性和抗干扰能力，可采取（_）的措施。
A.降低传输速度，减少信号重发次数
B.降低传输速度，增加信号重发次数
C.提高传输速度，增加信号重发次数
D.提高传输速度，减少信号重发次数
[单选题]在反相器电路中,装上加速电容器的目的是为了()。
A.确保晶体三极管可靠截止
B.确保晶体三极管可靠饱和
C.提高开关速度、改善输出波形
D.上述答案均正确
[判断题]4.9.第9题
为提高抗干扰能力,允许用电缆芯线两端接地的方式替代电缆屏蔽层的两端接地
A.正确
B.错误
[判断题]DVM的抗干扰能力一般可用串模干扰抑制比和共模干扰抑制比来表征。
A.正确
B.错误
[简答题]DS6-K5B系统内各微机之间的通信全部通过(（ ）)连接，提高了系统抗干扰能力和防雷性能，保证系统具有高的运行稳定性。
[单选题]4.31.第31题
为提高继电保护装置的抗干扰能力,在保护室设置等电位地网,该等电位地网应与变电站主地网()相连
,连接点设置在保护室的()处。
A.一点、电缆沟道出口
B.一点、电缆沟道入口
C.二点、电缆沟道出口
D.二点、电缆沟道入口
[单选题]PDCCH占用几个CCE时，抗干扰能力最强:
A.1
B.2
C.4
D.8
