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发布时间:2024-06-22 07:24:13

[单选题]抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.钠离子、钾离子,尤其是对钾离子
B.钙离子、钾离子,尤其是对钙离子
C.钠离子、钾离子,尤其是对钠离子
D.钾离子、氯离子,尤其是对氯离子
E.钾离子、钙离子,尤其是对钙离子

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[单选题]突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的
A.有时间总和
B.以电紧张方式扩布
C.是"全或无"的
D.电位大小随刺激的强度改变
E.有空间总和
[单选题]抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.K+外流
B.K+内流
C.CA2+内流
D.Cl-内流
E.NA+内流
[单选题]可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
[单选题]抑制性突触后电位
A.是去极化局部电位
B.有“全或无”性质
C.是超极化局部电位
D.是突触前膜递质释放量减少所致
[单选题]抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na +通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
[单选题]抑制性突触后电位导致突触后神经元活动减弱的原因在于
A. 突触前神经元活动减弱
B. 兴奋性突触释放递质量减少
C. 后膜电位超极化
D. 轴丘始段去极化
E. 后膜电位去极化
[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是
A.突触前轴突末梢去极化
B.钙离子由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对氯离子或钾离子的通透性升高
E.突触后膜去极化,引起突触后神经元发放冲动
[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的
A. 突触前轴突末梢去极化
B. Ca2 斗由膜外进入突触前膜内
C. 突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D. 突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高
E. 突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
[单选题]关于抑制性突触后电位,以下正确的是
A.是局部去极化电位
B.是局部超极化电位
C.由突触前膜递质释放量减少所致
D.由突触后膜对钠通透性增加所致

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