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[单项选择]不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）
A. 剂量建成区
B. 高剂量坪区
C. X射线污染区
D. 剂量跌落区
E. 指数衰减区
[单项选择]关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。
A. 大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区
B. 大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区
C. 大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区
D. 剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减
E. 和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
[单项选择]高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）
A. 随深度增加，等剂量线向外侧扩张
B. 电子束入射距离较远
C. 电子束入射能量较高
D. 电子束中包含一定数量的X射线
E. 电子束在其运动径迹上不易被散射
[单项选择]高能电子束的高值等剂量曲线，随深度增加（）
A. 按几何原理发散
B. 不变
C. 逐渐展宽
D. 逐渐内敛
E. 线性变化
[单项选择]不属于高能电子束百分深度剂量的是（）
A. 剂量建成区
B. 低剂量坪区
C. 高剂量坪区
D. X射线污染区
E. 剂量跌落区
[单项选择]电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）
A. 电子束无明显建成效应
B. 电子束的皮肤剂量较高
C. 电子束的照射范围平坦
D. 电子束射程较短
E. 电子束容易被散射
[单项选择]关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
A. 剂量建成区
B. 低剂量坪区
C. 高剂量坪区
D. 剂量跌落区
E. X射线污染区
[单项选择]电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（）
A. 表面剂量高、剂量迅速陡降
B. 表面剂量高、剂量迅速提高
C. 表面剂量不变、剂量不变
D. 表面剂量低、剂量迅速陡降
E. 表面剂量低、剂量迅速提高
[单项选择]用高能电子束治疗靶区后缘深度为3cm的肿瘤时，电子束的能量应该选择（）
A. 6MeV
B. 8MeV
C. 9MeV
D. 12MeV
E. 15MeV
[多项选择]影响电子线深度剂量分布的因素有（）
A. 电子线能量
B. 电子剂量率
C. 照射野
D. 有效源皮距
E. 入射角度
[单项选择]在源皮距为100cm，照射野10cm×10cm的参考条件下测量得到某电子束水模体深度吸收剂量曲线，根据曲线测得电子射程为9cm，则按照IAEA方法，模体表面最可几能量为（）
A. 6.24MeV
B. 9.24MeV
C. 12.24MeV
D. 15.24MeV
E. 18.24MeV
[单项选择]电子束射野衔接的基本规则是使两野的（）等剂量曲线在所需深度相交。
A. 25%
B. 50%
C. 75%
D. 90%
E. 100%
[单项选择]描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A. DS（表面剂量）
B. DX（韧致辐射剂量）
C. Rr（剂量规定值深度）
D. RP（射程）
E. Dr（剂量规定值）
[单项选择]对高能电子束剂量跌落的度量可用剂量梯度G表示，其值大小为（）
A. 1-1.5
B. 1.5-2
C. 2-2.5
D. 2.5-3
E. 3-3.5
[单项选择]影响射野中心轴百分深度剂量的因素有（）
A. 射线能量
B. 组织深度
C. 射野大小
D. 源皮距
E. 以上各项
[单项选择]电子束斜入射对百分深度剂量的影响是（）
A. 源于电子束的侧向散射效应
B. 距离平方反比造成的线束的扩散效应
C. 源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果
D. 源于电子束的偏射角度
E. 源于射程的增加
[单项选择]不影响百分深度剂量（PDD）的参数是（）
A. 深度
B. 表面剂量
C. 源皮距
D. 射线能量
E. 射野大小
[单项选择]X（γ）射线的百分深度剂量的大小取决于（）
A. 能量
B. 能量，深度
C. 能量，深度，射野大小
D. 能量，深度，源皮距
E. 能量，深度，源皮距，射野大小
[单项选择]X（r）射线的百分深度剂量的大小取决于（）
A. 能量
B. 能量、深度
C. 能量、深度、射野大小
D. 能量、深度、源皮距
E. 能量、深度、源皮距、射野大小
