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发布时间:2024-06-17 07:10:50

[多项选择]下列关于流体静压强的特性,叙述错误的是()。
A. 流体内部的压强随着液体深度的增加而增大
B. 流体内部的压强随着液体深度的增加而减小
C. 由流体静压强特性可知,修建的河流堤坝必须越往下越厚
D. 由流体静压强特性可知,修建的河流堤坝必须越往下越薄
E. 河堤下部所受到水的压强比上部要大

更多"下列关于流体静压强的特性,叙述错误的是()。"的相关试题:

[单项选择]关于Lp(a)生物学特性叙述错误的是()。
A. LpA.含有AapB100和AapA.
B. B.Aap与纤溶酶原具有高度同源性
C. C.Lp是动脉粥样硬化性疾病的独立危险因素
D. D.Lp在脂蛋白电泳时位于β脂蛋白及前B脂蛋白之间
E. E.Lp可促进胆固醇外流、胆固醇酯化以及胆固醇清除
[多项选择]下列关于汽化压强的叙述,正确的是()。
A. 汽化过程的逆过程是凝结
B. 汽化过程和凝结过程同时存在,且当这两个过程达到动态平衡时,宏观的汽化现象就表现为停止
C. 汽化过程和凝结过程同时存在,且当这两个过程达到动态平衡时的压强称为饱和蒸汽压强
D. 液体的汽化压强与温度有关
E. 当汽化和凝结这两个过程达到平衡时,汽化即不再发生
[多项选择]下面关于液柱高度表示压强的叙述,正确的是()。
A. 在工程技术上,测量压力时用液柱高度表示十分方便
B. 液柱高度表示压强可以用水柱
C. 液柱高度表示压强可以用隶柱
D. 用液柱高度表示压强,含义是流体的压强等于该液柱作用于其底部单位面积上的液体重力
E. 液柱高度表示压强可以用毫米水柱和米水柱
[单项选择]下列有关文化特性的叙述错误的是()。
A. 文化具有遗传性
B. 文化具有共享性
C. 文化具有整合性
D. 文化具有普遍性
[多项选择]关于鼠疫耶尔森菌的生物学特性,叙述错误的有()
A. 革兰阴性小杆菌
B. 无鞭毛,无芽胞,不活动
C. 有荚膜,厌氧,需要特殊培养基培养
D. 菌体含内毒素
E. 该菌对外界抵抗力强,对干燥、热和一般消毒剂不敏感
[单项选择]对病毒特性的错误叙述是?()
A. 以复制方式繁殖
B. 测量单位是微米
C. 只含一种核酸(DNA或RNA)
D. 是专性细胞内寄生物
E. 对抗生素不敏感
[单项选择]关于跌落式熔断器的工作特性,叙述错误的是()。
A. 开断电流能力强
B. 开断电流时,燃弧时间短
C. 熔断丝熔断后有明显的断开点
D. 价格较低廉
[多项选择]对并励直流电机进行调速时,随着电枢回路串加调节电阻的增大,其机械特性曲线叙述错误的是()。
A. 斜率减小,特性变硬
B. 斜率增大,特性变硬
C. 斜率增加,特性变软
D. 斜率减小,特性变软
[多项选择]下列关于空间旷奥度视觉特性的叙述,错误的是()。
A. 对于长方体的室内空间,其虚的界面若设在长边方向则更具空间开放性
B. 室内容积不变的情况下,增大顶面的面积,室内空间将显得更宽敞
C. 在室内空间中若实的视觉界面的数量越多,则室内空间奥的程度越弱
D. 当室内空间照度高,色彩为冷色调,界面质地光洁,温度偏冷时,空间显得宽敞
[单项选择]对特性曲线足部的叙述,错误的是()
A. 曲线开始至沿弧形缓慢上升为足部
B. 曲线开始部,与曝光量的进展平行
C. 达到一定曝光量,曲线开始缓慢上升
D. 足部密度的上升与曝光量成正比
E. 足部反应为影像中的最小密度
[单项选择]静电的基本物理特性为:吸引或排斥,与大地有电位差,会产生放电电流。这三种特性对电子元件的影响叙述错误的是:()
A. 静电吸附灰尘,降低元件绝缘电阻(缩短寿命)
B. 静电放电破坏,使元件受损不能工作(完全破坏)
C. 静电放电电场或电流产生的热,使元件受伤(潜在损伤)
D. 静电放电虽然产生的电磁场幅度很小,频谱极窄,但对元件的损伤很小
[单项选择]判断下列关于船舶阻力特性基本概念错误的叙述是()。
A. 船舶克服阻力所需的功率约与航速三次方成正比
B. 形状阻力约与航速的2次方成正比,航速对其影响较小
C. 水与船体表面的摩擦对船舶前进产生的阻力称兴波阻力
D. 附体阻力主要影响摩擦阻力和兴波阻力
[单项选择]以下叙述错误的是()
A. 如果L ECU到MFD的数据线故障,则左发指示依然正常
B. 如果L DCU故障,左发指示依然正常
C. 如果L DCU故障,左发指示只有N1,N2和ITT
[单项选择]下列叙述错误的是()
A. 胶质瘤多位于大脑实质内
B. 脑膜瘤多位于脑表面
C. 室管膜瘤多位于脑室
D. 髓母细胞瘤几乎位于小脑和第四脑室内
E. 毛细胞星形细胞瘤多位于大脑半球实质内
[单项选择]下列关于铁磁性材料的磁特性叙述中,正确的是()
A. 铁磁性材料中有磁滞现象
B. 随含碳量增高,矫顽力增大
C. 硬磁材料比软磁材料较难达到饱和状态
D. 铁磁性材料的相对磁导率μr远大于1,它与外加磁场强度的变化有关,即μr=μ(H)
E. 以上都对

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