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[填空题]可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）
[单项选择]PNP三极管导通的条件是（）
A. 基极和发射极相对集电极为正电势
B. 基极和集电极相对发射极为正电势
C. 基极相对发射极为负电势，集电极相对发射极为正电势
D. 基极相对发射极为正电势，集电极相对发射极为负电势
[单项选择]晶体管导通的条件是：（）
A. 阴极与阴极间加正向电压
B. 阴极与阴极加正电压，控制极与阴极间也加适当正向电压：
C. 控制极与阴极间加正向电压
[填空题]电容对直流电具有阻断作用，对交流电具有导通作用，对低频具有（）作用，对高频具有导通作用。
[单项选择]下列（）不是可控硅导通的条件。
A. 阳极和控制极之间加正向电压
B. 阳极和阴极间加正向电压
C. 阳极电流大于维持电流
D. 控制极和阴极间中正向电压
[多项选择]晶闸管可能导通的条件是（）。
A. 阳极和阴极间加正向电压
B. 阳极和阴极间加反向电压
C. 门极加触发信号
D. 阳极和阴极间加大于转折电压的正向电压
[多项选择]晶闸管导通条件是（）。
A. 阳极与阴极之间加正向电压
B. 阳极与阴极之间加反向电压
C. 控制极与阴极之间加正向电压
D. 控制极与阴极之间加反向电压
E. 阳极与控制极间加正向电压
[单项选择]N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
A. Uc＞Us，UCs=0.6~0.7V
B. Uc＞Us，UCs=0.45—3V
C. Uc＜US，UcS=0.6—0.7V
D. Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
[多项选择]下列不是可控硅导通条件是（）。
A. 阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压
B. 阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C. 阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压
D. 阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
[判断题]NPN型三极管具有电流放大作用，导通的条件是发射结加反向电压，集电结加正向电压。
[判断题]维持电流IH就是在规定的环境温度和控制极开路的条件下，晶闸管触发导通后维持导通状态所需的最小阳极电流。
[单项选择]可控硅导通必须具备的条件是（）。
A. 阳极接正向电压
B. 控制极接正向电压
C. 阳极接反向电压
D. A和B
[判断题]晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
[多项选择]晶闸管由导通变为关断的条件是（）。
A. 控制极加正向电压
B. 阳极对阴极间加反向电压
C. 控制极加反向电压
D. 阳极电流小于维持电流
E. 阳极和阴极间加正向电压
F. 控制极电压为零，阳极电压也为零
[单项选择]单相桥式整流电路工作时，每次有（）只整流二极管导通同时导通。
A. 四
B. 三
C. 二
D. 一
