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发布时间:2023-10-11 14:50:53

[单项选择]当温度升高时,晶体二极管的反向饱和电流将()。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不能确定

更多"当温度升高时,晶体二极管的反向饱和电流将()。"的相关试题:

[单项选择]当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 等于零
[填空题]当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。
[单项选择]当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()。
A. 减小
B. 不变
C. 增加
D. 取决于外加电压值
[判断题]如果晶体二极管的止反向电阻都很小或为零,则该晶体二极管已被击穿。
[单项选择]晶体二极管击穿后正向电阻和反向电阻为:()
A. 0
B. 无穷大
[填空题]晶体二极管的最大反向电流越大,表示二极管的()。
[单项选择]在晶体二极管的两端加反向电压时,反向电阻很大,反向电流很小,基本处于()状。
A. 导通
B. 截止
C. 放大
D. 饱和
[判断题]晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()
[单项选择]某晶体二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压()。
A. 约等于150V
B. 略大于150V
C. 等于75V
D. 等于100V
[判断题]因为晶体三极管由两个PN结组成,所以能用两个晶体二极管反向连接起来当晶体三极管使用。
[单项选择]用表测量晶体二极管的正向电阻与反向电阻,相差愈()愈好。
A. 小
B. 大
C. 相等
[判断题]一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。
[单项选择]如果晶体二极管的正向电阻都很大,则该晶体二极管()
A. 正常
B. 已经击穿
C. 内部断路
D. 不确定
[判断题]稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡,则动态电阻越大,稳压性能越好。
[单项选择]晶体二极管的特性:只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。
A. 正向电压
B. 正向电流
C. 正向电极
D. 正向电路

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