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[单选题] 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδ1、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδ1、…、tanδn中的( )。
A. 最大值;
B. 最小值;
C. 平均值;
D. 某介于最大值与最小值之间的值。
[判断题]采用移相法测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,被试品的实际电容值等于正、反电源两次测量值的平均值。
A.正确
B.错误
[单选题] .用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用()抗电场干扰好,测量误差较小。
A. 正接线
B. 反接线
C. 对角接线
D. 低压测量
[单选题]M型介质试验器测量被试品的介质损耗,在反相前后测量值为P1、P2,当两次极性指示相反时,介质损耗的实际值为()。
A.P=(P1-P2)/2
B.P=(P1+P2)/2
C.P=P1+P2
[多选题] 在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tanδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,下列项目说法正确的是()。
A. 选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上
B. 外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
C. 变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差
D. “过零比较”检测方法:测量结果的分散性稍大
[判断题]绝缘介质在交流电压作用下,其中电阻性的电流的大小与被试品的介质损耗大小有关。
A.正确
B.错误
[单选题]M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P后,即可计算出其介质损耗角正切值()。
A.tanδ=P/S
B.tanδ=P-S
C.tanδ=P+S
[判断题]M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。
A.正确
B.错误
[单选题] 有n个试品并联在一起测量直流泄漏电流,测得值为I,则流过每个试品的泄漏电流必( )。
A. 不大于I;
B. 大于I;
C. 等于I;
D. 小于1/n。
[判断题]智能型介质损耗测试仪采用反接法时,接线方式为从仪器上引出一根线,,接到被试品的一个高压接线端子,被试品的另一端接地。
A.正确
B.错误
[单选题] 有n个试品并联在一起测量绝缘电阻,测得值为R,则单个试品的绝缘电阻都()。
A. 小于R
B. 不小于R
C. 等于R
D. 大于nR
[单选题] 电容量和介质损耗因数试验时:测试数据超标时应考虑被试品( )、环境湿度等因素,必要时可对被试品表面进行清洁或干燥处理后重新测量。
A. 表面污秽
B. 内部潮湿
C. 表面温度
D. 材质
[判断题]通过测量介质损耗角正切值可以检查被试品是否存在绝缘受潮和劣化等缺陷。
A.正确
B.错误
[判断题]介质损耗低的绝缘材料在电压作用下会产生介质损耗，介质损耗太大将引起电缆发热，加速绝缘老化，甚至发生击穿损坏。（）
A.正确
B.错误
[判断题]当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。
A.正确
B.错误
[判断题] 对高压电容式绝缘结构的试品,不仅要监测其绝缘介质损耗因数,还要监测其电容量的相对变化。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。
A.反比
B.U形曲线比例关系
C.正比
[判断题]当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。
A.正确
B.错误
