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[填空题]PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
[填空题]当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
[填空题]势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
[填空题]由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
[单项选择]在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。
A. 基区
B. 集电区
C. 发射区
D. 饱和区
[填空题]发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
[填空题]晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
[判断题]溶液中，离子浓度越大，电荷数越高，则离子强度越大，离子活度越小。
[判断题]由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
[单项选择]绝缘材料绝缘强度越大，使之击穿的（）越高。
A. 额定电流
B. 电动势
C. 电压
D. 电感
[单项选择]水的硬度越高，洗瓶添加剂的添加浓度越高，总的添加浓度控制以（）为宜。
A. 2-4%
B. 0.2-0.5%
C. 0.2-0.4%
D. 0.3-0.5%
[填空题]在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
[判断题]催化剂浓度越高，则主反应速度越快，副反应速度越慢。
