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发布时间:2023-10-23 06:40:34

[判断题]由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

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[判断题]三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
[判断题]三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。
[单项选择]在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。
A. 基区
B. 集电区
C. 发射区
D. 饱和区
[填空题]由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。
[填空题]发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。
[填空题]晶体管的注入效率是指()电流与()电流之比。为了提高注入效率,应当使()区掺杂浓度远大于()区掺杂浓度。
[填空题]PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
[填空题]在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。
[填空题]当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。
[填空题]势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。
[填空题]PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。
[判断题]对NPN三极管来说,外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差。
[单项选择]茶碱类药物需监测血药浓度是由于
A. 生物利用度低
B. 体内药物清除速率不定
C. 易产生不良反应
D. 给常规剂量,但血药浓度差异较大,治疗窗窄
E. 有效血药浓度范围大
[单项选择]黄疸是由于血液中总胆红素浓度超过
A. 10mg/L
B. 20mg/L
C. 30mg/L
D. 40mg/L
E. 50mg/L
[单项选择]三极管放大电路中三极管工作在()。
A. 饱和区
B. 放大区
C. 截止区
D. 任意区
[判断题]三极管工作在饱和区时,由于集电极电流较大所以也有放大作用。
[判断题]达林顿型光敏三极管灵敏度比普通光敏三极管高。
[名词解释]三极管饱和压降

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