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[单选题] 通常电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻不应低于()MΩ。
A. 1000
B. 2000
C. 10000
D. 500
[单选题] 如果电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻低于1000MΩ,则应测量其对地tanδ,其值不大于()。
A. 0.01
B. 0.02
C. 0.03
D. 0.04
[单选题] 电容型电流互感器末屏的绝缘电阻不宜小于()MΩ。
A. 500
B. 1000
C. 1500
D. 2000
[判断题]末屏绝缘电阻试验能有效发现电容型电流互感器底部进水受潮缺陷。
A.正确
B.错误
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损,主要是检查电流互感器底部和电容芯子表面的绝缘状况。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 对电容型绝缘结构的电流互感器进行一次绕组直流电阻测量及变比检查试验时,不能发现绝缘末屏引线在内部发生的断线或不稳定接地缺陷
A.正确
B.错误
[单选题] 如果需要测量电容型电流互感器主绝缘的tanδ,其试验电压应为()kV。
A. 2
B. 5
C. 5
D. 10
[单选题] 电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx( )。
A. 变大
B. 变小
C. 不变
D. 为零
[判断题] 电容型设备如耦合电容器、 套管、 电流互感器等、其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后、测得的电容量C将变大。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损时所施加的试验电压,应考虑到末屏的绝缘水平,一般以2~3kV为宜。
A.正确
B.错误
[多选题] 关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是(____)。
A. 绝缘良好的设备tanδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
B. 绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tanδ值就较大,随着电压的升高tanδ值增大
C. 发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tanδ急剧增高
D. 绝缘中含有离子型杂质的设备,tanδ随电压上升而下降
[单选题]对于电容型电流互感器，推荐采用（ ）进行一次绕组对末屏的tanδ及电容量的测量
A.反接线
B.正接线
C.正接线或者反接线
D.视具体情况采用正接线或者反接线
[判断题]直流泄漏电流测量及直流耐压试验比用绝缘电阻表测量绝缘电阻更易发现某些绝缘缺陷。
A.正确
B.错误
[单选题] 对电容型绝缘结构的电流互感器进行( )时,不可能发现绝缘末屏引线在内部发生的断线或不稳定接地缺陷。
A. 绕组主绝缘及末蔽绝缘的tanδ和绝缘电阻测量;
B. 油中溶解气体色谱分析;
C. 局部放电测量;
D. 一次绕组直流电阻测量及变比检查试验。
[判断题]对于电容型电流互感器，推荐采用正接线进行一次绕组对末屏的tanδ及电容量的测量（ ）
A.正确
B.错误
[单选题] 能有效发现电容型电流互感器底部进水受潮缺陷的试验是( )。
A. 末屏绝缘电阻
B. 交流耐压
C. 主屏电容量
D. 主绝缘tgδ
[单选题] 如果需要测量电容型电流互感器末屏对地tanδ,其试验电压应为()kV。
A. 2
B. 5
C. 5
D. 10
[单选题]如果需要测量电容型电流互感器末屏的末屏对地tanδ,其值不大于()。
A.0.01
B.0.02
C.0.025
D.0.03
