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发布时间:2023-10-06 13:51:51

[填空题]突触的抑制可分为( )和突触后抑制两类。

更多"[填空题]突触的抑制可分为( )和突触后抑制两类。"的相关试题:

[判断题]突触后抑制是主动过程,突触前抑制是被动过程。( )
A.正确
B.错误
[单选题]突触前抑制是由于突触前膜( )
A.产生超极化
B.释放抑制性递质
C.递质耗竭
D.兴奋性递质释放减少
E.产生抑制性突触后电位
[填空题]突触抑制按其机制的不同可分为( )、( )。
[判断题]突触前抑制可使突触后膜出现IPSP。
A.正确
B.错误
[单选题]突触前抑制的特点是
A.突触后膜的兴奋性降低
B.突触前膜超极化
C.突触前轴突末梢释放抑制性递质
D.潜伏期长,持续时间长
[单选题]突触前抑制是由于:
A. 前膜超极化
B. 中间神经元超极化
C. 中间神经元去极化
D. 后膜超极化
E. 前膜去极化
[单选题]突触前抑制产生的机制是
A.突触前神经元释放抑制性递质增多
B.中间神经元释放抑制性递质增多
C.突触间隙加宽
D.突触后膜超极化,突触后神经元的兴奋性降低
[单选题]突触前抑制的发生是由于
A.突触前膜兴奋性递质释放量减少
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜超极化
D.中间抑制性神经元兴奋的结果
E.以上原因综合的结果
[单选题]突触前抑制的产生是由于:
A.突触后膜超极化
B.突触前膜去极化减小
C.突触前膜超极化
D.突触后膜去极化减小
E.突触后膜兴奋性下降
[单选题]突触前抑制发生的原因中,错误的是
A.是由轴突-轴突突触活动发生的
B.突触前膜释放兴奋性递质少
C.突触后膜超极化
D.突触前膜发生局部去极化
[单选题]突触后抑制时,下列哪种情况不会出现
A.突触前膜释放神经递质
B.突触后膜Cl-内流
C.突触后膜超极化
D.兴奋性突触后电位
E.突触后膜的兴奋性降低
[单选题]以下有关突触后抑制的叙述,哪项是错误的
A.由抑制性突触的活动引起
B.突出后膜发生超极化
C.兴奋性神经元不会引起突触后抑制
D.突触前膜释放抑制性递质
[单选题]兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位的共同特征是
A.突触前膜均去极化
B.突触后膜均去极化
C.突触前膜释放的递质的性质一样
D.突触后膜对离子的通透性
[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致
A.Na+、Cl-、K+ ,尤其是K+
B.Ca2+、K+、Cl- ,尤其是Ca2+
C.Na+、K+,尤其是Na+
D.K+、Cl- ,尤其是Cl-
[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子的通透性明显增加所致
A.Na+
B.Cl-
C.K+
D.Ca2+

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