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[判断题]测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tanδ和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出 者)必须短接一起加压, 其他非被测绕组则保持开路并单端接地。
A.正确
B.错误
[单选题]3.111. 第111题
测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tanδ和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出 者）必须短接一起加压， 其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差（ ）。
A.正确
B.错误
[单选题]3.148. 第148题
测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tanδ和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出 者)必须短接一起加压, 其他非被测绕组则保持开路并单端接地。
A.正确
B.错误
[填空题]测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgli和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（ ）必须（ ）
[单选题] 电容型电流互感器末屏tanδ测量电压应为()V。
A. 1000
B. 2000
C. 3000
D. 40000
[单选题]1.286. 第286题
测量变压器电容型套管的介质损耗因数和电容量时,其所属绕组的线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压,其他非被测绕组则短接接地。
A.正确
B.错误
[判断题]测量变压器电容型套管的介质损耗因数和电容量时,其所属绕组的线端与中性点(有中性点引出者)必须短 接一起加压,其他非被测绕组则短接接地。
A.正确
B.错误
[单选题]当电容型套管或电流互感器末屏对地绝缘电阻低于( )MΩ时应测量末屏对地的tanδ。
A.1000
B.2000
C.5000
D.10000
[单选题]3.143. 第143题
测量高压电容型套管的介质损耗时,将高压电容型套管水平放置在妥善接地的套管架上进行( )。
A.正确
B.错误
[判断题]测量高压电容型套管的介质损耗时,将高压电容型套管水平放置在妥善接地的套管架上进行( )。
A.正确
B.错误
[多选题]可能影响电容型设备相对介质损耗因数和电容量比值测量结果的因数有( )
A.电网频率波动
B.电网电压波动
C.温度
D.湿度
[单选题]电容型设备的电容量带电测量，从电压互感器获取二次电压信号时，应防止（ ）。
A.短路
B.开路
C.绝缘击穿
D.断路
