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[单选题]电容型电流互感器末屏tanδ测量电压应为（ ）V。
A.1000
B.2000
C.3000
D.40000
[单选题] 如果需要测量电容型电流互感器主绝缘的tanδ,其试验电压应为()kV。
A. 2
B. 5
C. 5
D. 10
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损时所施加的试验电压,一般取10kV。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损时所施加的试验电压,应考虑到末屏的绝缘水平,一般以2~3kV为宜。
A.正确
B.错误
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损,主要是检查电流互感器底部和电容芯子表面的绝缘状况。( )
A.正确
B.错误
[单选题]电容型设备的电容量带电测量,从电压互感器获取二次电压信号时,应防止( )。
A.短路
B.开路
C.绝缘击穿
D.断路
[单选题] 测量电容型电流互感器()的绝缘电阻对发现绝缘受潮灵敏度较高。
A. 主绝缘
B. 整体
C. 末屏
D. 二次绕组
[单选题]2.164. 第164题
电容型设备的电容量带电测量,从电压互感器获取二次电压信号时,应防止( )。
A.短路
B.开路
C.绝缘击穿
D.断路
[判断题]终端应具备电压、电流等模拟量采集功能,测量电压、电流、功率、功率因数等,电流测量精度等级宜达到0．5S级。
A.正确
B.错误
[单选题]测量正立式电容型电流互感器( )的绝缘电阻对发现绝缘受潮灵敏度较高。
A.主绝缘
B.整体
C.末屏
D.二次绕组
[多选题] 关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是(____)。
A. 绝缘良好的设备tanδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
B. 绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tanδ值就较大,随着电压的升高tanδ值增大
C. 发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tanδ急剧增高
D. 绝缘中含有离子型杂质的设备,tanδ随电压上升而下降
[单选题] 如果需要测量电容型电流互感器末屏的末屏对地tanδ,其值不大于()。
A. 0.01
B. 0.02
C. 0.025
D. 0.03
[判断题] 小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
A.正确
B.错误
[判断题]电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时,应测量末屏对地tgδ。
A.正确
B.错误
