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[判断题]耦合电容器等电容器串联元件较多,tanδ能够灵敏反映个别元件短路、开路或劣化。
A.正确
B.错误
[单选题]耦合电容器 tanδ 的测量和分析比较时分别采用(____)。
A.正接线和对角接线
B.反接线和正接线
C.正接线和反接线
D.均采用正接线
[判断题]测量耦合电容器tanδ值不符合要求时,可在额定电压下复测,复测值如符合要求,可继续投运。
A.正确
B.错误
[判断题]断路器电容器 tanδ 测量通常采用反接线。
A.正确
B.错误
[判断题] 测量耦合电容器tanδ时,如有电场或磁场干扰,应采用移相法、倒相法或变频法等抗干扰法进行测量。
A.正确
B.错误
[判断题]测量耦合电容器tanδ值不符合要求时,可在额定电压下复测,复测值如符合10kV下的要求,可继续投运。
A.正确
B.错误
[判断题]测量耦合电容器tanδ时,如有电场或磁场干扰,应采用移相法进行测量,但不能用倒相法或变频法等抗干扰法进行测量。
A.正确
B.错误
[多选题]电容器 tanδ 的测量能发现(____)。
A.电容器绝缘介质受潮
B.击穿等绝缘缺陷
C.制造过程中真空处理和剩余压力
D.引线端子焊接不良、有毛刺、铝箔或膜纸不平整
[单选题]tanδ升高表明该耦合电容器的绝缘性能(____)。
A.升高
B.降低
C.没影响
D.不确定
[单选题]电容器tanδ值不应超过规程规定值和产品技术条件的规定,测试数据与原始值相比不应有显著变化,一般应小于(____)。
A.0.1
B.0.2
C.0.3
D.0.4
[单选题]电容器tan??值不应超过规程规定值和产品技术条件的规定,测试数据与原始值相比不应有显著变化,一般应小于()。
A.10%
B.20%
C.30%
D.40%