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[单选题]采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。
A.高
B.低
C.相等
[判断题]西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。
A.正确
B.错误
[判断题]西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
A.正确
B.错误
[判断题] 在相同条件下,用西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题] 用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
A.正确
B.错误
[判断题]采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
A.正确
B.错误
[单选题]采用QS1电桥测量tanδ,反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘,对接地物体保持一定的绝缘距离,一般不小于()。
A.50mm
B.125mm
C.100mm
[单选题]某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值tanδ为()。
A.0.08
B.0.02
C.0.3184
[判断题]西林电桥采用正接线及反接线时,其测试原理相同。
A.正确
B.错误
[单选题]西林电桥采用正接线及反接线时,其测试原理()。
A.相同
B.不同
C.部分相同
[单选题]采用西林电桥测量介质损耗角正切值时,通过调节可调电阻R和可变电容C使检流计指零,电桥平衡,这时()就是被试设备的tanδ值。
A.可变电容C指示的电容量(单位取μF)值
B.可调电阻R的电阻值
C.可调电阻R的电阻值与可变电容C指示的电容量之和
[单选题] 试品电容量约15000pF,使用西林电桥,施加10kV测量其tanδ时,电桥分流器位置宜选定在( )挡位置。
A. 0.01;
B. 0.025;
C. 0.06;
D. 0.15。
[判断题]对于电容型电流互感器，推荐采用正接线进行一次绕组对末屏的tanδ及电容量的测量（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]采用西林电桥测量介质损耗角正切值时,通过调节可调电阻R和可变电容C使检流计指零,电桥平衡,这时可变电容C指示的电容量(取μF)值就是被试设备的tanδ值。
A.正确
B.错误
[单选题]西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品整体与地隔离时的测量。
A.交叉接线
B.反接线
C.正接线
[单选题] 用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tanδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。
A. 一次绕组对二次绕组及地;
B. 处于铁心下心柱的1/2一次绕组对二次绕组之间;
C. 铁心支架;
D. 处于铁心下心柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
[单选题]西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
A.正接线
B.反接线
C.交叉接线
[判断题]西林电桥正接线与反接线相比其抗干扰能力要弱。
A.正确
B.错误
[单选题]西林电桥正接线与反接线相比其抗干扰能力()。
A.较强
B.较弱
C.相同
