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[单项选择]若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A. 高20～30℃
B. 高10～20℃
C. 高10℃以内
D. 低10℃以内
E. 低10～20℃
[单项选择]上釉的烧结温度是
A. 低于体瓷温度5℃
B. 低于体瓷温度10℃
C. 低于体瓷温度20℃
D. 高于体瓷温度5℃
E. 高于体瓷温度10℃
[单项选择]金属的熔点高于瓷烧结温度是为了
A. 有利于金瓷的化学结合
B. 有利于瓷粉的冷却
C. 防止瓷粉烧结后崩裂
D. 防止金属基底变形
E. 使瓷烧结后产生压应力
[单项选择]金属烤瓷材料的烧结温度应比金属的熔点
A. 高
B. 相等
C. 低
D. 高或者相等
E. 两者无关系
[单项选择]瓷质砖的烧结温度高，瓷化程度好，吸水率小于（）。
A. 0.5%
B. 1%
C. 1.5%
D. 2%
[单项选择]某技师目前所使用的瓷粉最高烧结温度为950℃，其选择使用的烤瓷合金熔点至少应达到
A. 950℃
B. 980℃
C. 1020℃
D. 1050℃
E. 1120℃
[单项选择]某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是
A. 第一层与第二层烧结温度一致
B. 第一层烧结温度比第二层低30～50℃
C. 第一层烧结温度比第二层低10～20℃
D. 第一层烧结温度比第二层高10～20℃
E. 第一层烧结温度比第二层高30～50℃
[单项选择]与烧结普通砖相比，烧结空心砖( )。
A. 保温性好，体积密度大
B. 强度高，保温性好
C. 体积密度小，强度高
D. 体积密度小，保温性好，强度较低
[单项选择]烧结普通砖进行强度等级检验时，应抽取（）烧结普通砖。
A. 10块
B. 15块
C. 20块
D. 25块
[单项选择]烧结多孔砖的抗压强度试验步骤同烧结普通砖，其加荷速度以( )为宜。
A. 2～4kN/s
B. 2～5kN/s
C. 2～6kN/s
D. 3～6kN/s
[单项选择]瓷粉烧结的收缩率为
A. 5%～10%
B. 15%～20%
C. 35%～40%
D. 45%～50%
E. 70%～80%
