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[判断题]如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
[判断题]最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
[填空题]光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
[简答题]什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
[简答题]浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
[简答题]解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
[简答题]什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
[简答题]解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[简答题]例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[判断题]光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
[简答题]光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
[单项选择]光刻加工的工艺过程为：（）
A. ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B. ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C. ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
