更多"光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深"的相关试题:
[判断题]最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
[简答题]解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
[判断题]如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
[简答题]例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[单项选择]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A. DQN
B. CA
C. ARC
D. PMMA
[填空题]光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[单项选择]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
A. ARC
B. HMDS
C. 正胶
D. 负胶
[判断题]对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
[多项选择]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
A. CA光刻胶对深紫外光吸收小
B. CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C. CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D. 有较高的光敏度
E. 有较高的对比度
[单项选择]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
A. 化学增强
B. 化学减弱
C. 厚度增加
D. 厚度减少
[多项选择]光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A. 红外线辐射
B. X射线照射
C. 加热
D. 紫外光辐射
E. 电子束扫描
[简答题]解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
[多项选择]光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
A. 树脂
B. 感光剂
C. HMDS
D. 溶剂
E. PMMA
[多项选择]有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
A. 负胶受显影液的影响比较小
B. 正胶受显影液的影响比较小
C. 正胶的曝光区将会膨胀变形
D. 使用负胶可以得到更高的分辨率
E. 负胶的曝光区将会膨胀变形
[判断题]曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
[单项选择]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A. 刻蚀速率
B. 选择性
C. 各向同性
D. 各向异性
[判断题]在锅筒和潮湿的烟道内工作而使用电灯照明时，照明电压应不超过24V；禁止使用明火照明。
