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[简答题]解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
[简答题]例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[单项选择]以下有关显影温度的说法错误的是（）
A. 一般显影液的温度控制为20±2℃
B. 显影操作过程中测定显影液温度
C. 调节液温在冬天可用热水浴
D. 夏天可用冰水浴
[判断题]最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
[判断题]如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
[单项选择]以下有关显影剂的说法正确的是（）
A. 显影剂的主要作用是把未感光的溴化银还原成金属银
B. 显影剂的主要作用是把已感光的溴化银氧化成金属银
C. 显影剂的主要作用是把已感光的溴化银还原成金属银
D. 以上都不对
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[多项选择]光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A. 红外线辐射
B. X射线照射
C. 加热
D. 紫外光辐射
E. 电子束扫描
[判断题]对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
[填空题]光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
[单项选择]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A. DQN
B. CA
C. ARC
D. PMMA
[简答题]解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
[多项选择]光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
A. 树脂
B. 感光剂
C. HMDS
D. 溶剂
E. PMMA
[单项选择]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
A. ARC
B. HMDS
C. 正胶
D. 负胶
[判断题]光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
[单项选择]有关切换，说法错误的是（）
A. 切换参数中的过滤系数，用于对上报测量参数进行平滑，避免突发异常测量数据带来的影响。
B. 切换参数中的小区个体偏移，为了补偿应用于网络和用于实际切换估计的偏移，UE应在加上偏移之后评估是否需要发送一个测量报告。而且，各个小区偏移并非用于所有的测量报告事件，并且在事件中并非以同一种方式进行应用。
C. C.切换参数中的触发时间，触发时间主要用于限制测量事件的信令负荷，其含义是只有当特定测量事件（如2条件在一段时间即触发时间（TimeToTRig）内始终满足事件条件才上报该事件。该参数设置过大，将会导致UE乒乓切换；反之会导致无法及时切换，甚至发生掉话可能。
D. 切换参数中的迟滞系数，该参数设置过大，将会导致UE无法及时切换，甚至发生掉话可能；反之会导致乒乓切换。
[判断题]曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
[多项选择]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
A. CA光刻胶对深紫外光吸收小
B. CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C. CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D. 有较高的光敏度
E. 有较高的对比度
