更多"[填空题]电压开关型SPD通常采用___间隙、___管、晶闸管（可控硅"的相关试题:
[单选题]上世纪50年代出现单向晶闸管，又称可控硅SCR；60年代快速晶闸管进入逆变领域；70年代研制了性能优良的自关断器件GTR和GTO;80年代涌现出各种高频化全控型功率半导体（ ）开关器件：功率MOSFET、绝缘栅晶体管IGBT、混合型MOS晶闸管（MCT）和IGBT等，及1000V高压MOSFET和150kHz高速IGBT等
A.开关
B.放大
C.自关断
D.自闭合
[单选题] 晶闸管导通的条件是：可控硅( )。
A.主回路加反向电压，同时控制极加适当的正向电压
B.主回路加反向电压，同时控制极加适当的反向电压
C.主回路加正向电压，同时控制极加适当的正向电压
D.主回路加正向电压，同时控制极加适当的反向电压。
[单选题]1241 晶闸管导通的条件是:可控硅( )。
A.主回路加反向电压,同时控制极加适当的正向电压
B.主回路加反向电压,同时控制极加适当的反向电压
C.主回路加正向电压,同时控制极加适当的正向电压
D.主回路加正向电压,同时,控制极加适当的反向电压
[简答题]1 换流站内进行晶闸管（可控硅）高压试验，应——。
[单选题]上世纪50年代出现（ ），又称可控硅SCR；60年代快速晶闸管进入逆变领域；70年代研制了性能优良的自关断器件GTR和GTO;80年代涌现出各种高频化全控型功率半导体开关器件：功率MOSFET、绝缘栅晶体管IGBT、混合型MOS晶闸管（MCT）和IGBT等，及1000V高压MOSFET和150kHz高速IGBT等。
A.晶体三极管
B.MOSFET
C.单向晶闸管
D.单结晶体管
[单选题]通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的( )倍。
A.1~1.5
B.1.5~2
C.2~2.5
D.2.5~3
[多选题] 换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应( )。 (0.0分)
A. 停止区域内其他作业
B. 撤离无关人员
C. 试验设备外壳应可靠接地
D. 试验人员应与试验带电体保持0.7m以上的安全距离
[单选题]进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.5
B.0.6
C.0.7
D.0.8
[单选题]单选题 进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。(1.0分)
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（ ）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.A-0.35
B.B-0.5
C.C-0.6
D.D-0.7
E.掠
F.掠
G.掠
[单选题]在晶闸管斩波器中,保持晶闸管触发频率不变,改变晶闸管导通的时间从而改变直流平均电压值的控制方式叫( )
A.定频调宽法
B.定宽调频法
C.定频定宽法
D.调宽调频法
[单选题]在阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，工作人员应与试验带电体之间保持足够的安全距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的（）伤害。
A.谐振过电压
B.试验感应电
C.工频过电压
D.操作过电压
