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[单选题]上世纪50年代出现单向晶闸管,又称可控硅SCR;60年代快速晶闸管进入逆变领域;70年代研制了性能优良的自关断器件GTR和GTO;80年代涌现出各种高频化全控型功率半导体( )开关器件:功率MOSFET、绝缘栅晶体管IGBT、混合型MOS晶闸管(MCT)和IGBT等,及1000V高压MOSFET和150kHz高速IGBT等
A.开关
B.放大
C.自关断
D.自闭合
[填空题]电压开关型SPD通常采用___间隙、___管、晶闸管(可控硅整流器)和三端双向可控硅等元件。
[单选题] 晶闸管导通的条件是:可控硅( )。
A.主回路加反向电压,同时控制极加适当的正向电压
B.主回路加反向电压,同时控制极加适当的反向电压
C.主回路加正向电压,同时控制极加适当的正向电压
D.主回路加正向电压,同时控制极加适当的反向电压。
[单选题]1241 晶闸管导通的条件是:可控硅( )。
A.主回路加反向电压,同时控制极加适当的正向电压
B.主回路加反向电压,同时控制极加适当的反向电压
C.主回路加正向电压,同时控制极加适当的正向电压
D.主回路加正向电压,同时,控制极加适当的反向电压
[简答题]1 换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应——。
[多选题] 换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应( )。 (0.0分)
A. 停止区域内其他作业
B. 撤离无关人员
C. 试验设备外壳应可靠接地
D. 试验人员应与试验带电体保持0.7m以上的安全距离
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.5
B.0.6
C.0.7
D.0.8
[单选题]依据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》,在阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,工作人员应与试验带电体之间保持足够的安全距离,试验人员禁止直接接触(),防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.屏蔽罩
B.外壳
C.阀塔
D.阀塔屏蔽罩
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。(1.0分)
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]在阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,工作人员应与试验带电体之间保持足够的安全距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的( )伤害。
A.谐振过电压
B.试验感应电
C.工频过电压
D.操作过电压
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持()m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
E.略
F.略