更多"[判断题]在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对"的相关试题:
[判断题]一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
A.正确
B.错误
[单选题]采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映()
A.全部绕组的绝缘状态
B.1/2绕组的绝缘状态
C.1/4绕组绝缘状态
D.只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
[判断题]用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
A.正确
B.错误
[单选题]被试品的电容量为10000PF，测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA
A.0.05kVA
B.0.5kVA
C.1.0kVA
D.1.5kVA
[单选题]一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值()。
A.增加
B.不变
C.减少
D.以上均不是
[单选题]测量介损tgδ通常不能发现的设备绝缘缺陷是()
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
[单选题]用介损仪反接线测量小电容量试品(＜50PF)的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。
A.大
B.相等
C.小
D.以上均不是
[判断题]当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
A.正确
B.错误
[单选题]测量变压器绕组绝缘的介损tgδ时，非被测绕组应()。
A.对地绝缘
B.短路
C.开路
D.短接后接地
[单选题]在通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因是()。
A.支架开裂
B.线圈匝、层间短路
C.受潮
D.铁芯夹件悬浮电位放电
[判断题]220kV变压器出厂验收时,绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于0.8%。
A.正确
B.错误
[判断题]分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2……tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的介于最大与最小值之间。
A.正确
B.错误
[单选题]几个被试品分别测得介损值为tgδ1、tgδ2……tgδn，当串联在一起时，测得的介损值为每个试品介损值的（ ）。
A.最小值
B.平均值
C.最大值
D.介于最大与最小之间
[判断题]直流分压器更换后要进行介损试验，且满足电容式套管介损要求。
A.正确
B.错误
[单选题]电容量和介损试验中试验电源的频率应为额定频率，其偏差不大于(____)%。
A.±1
B.±2
C.±4
D.±5
[单选题]电容量和介损试验所选用试验仪器介质损耗因数测量范围为(____)。
A.0-0.001
B.0-0.01
C.0-0.1
D.0-1
[多选题]采用末端屏法测量串级式电压互感器介损时其值主要是反映（）。
A.反映下部铁芯的高压绕组
B.全部绕组的绝缘状态
C.110kV级1／2绝缘状态
D.220kV级1／4绝缘状态
[填空题]工业纯钛焊接接头的弯曲试验主要反映焊接接头的:( )
