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[填空题]P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
[单项选择]源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
A. 对地阻抗极大
B. 对地有数uF的电容
C. 对地有很高的电压
D. 以上都正确
[判断题]禁止标志的基本形式是正三角形边框，边框及图形符号为黒色，衬底为黄色。
[单项选择]提示标志牌的基本型式是一（）衬底牌和相应标志符号、文字，四周间隙相等。
A. 三角形
B. 圆形
C. 正方形
D. 菱形
[填空题]EPROM的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压，可使PN结产生雪崩击穿，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。当将外部提供的电源去掉后，（）中的电子无放电回路而被保留下来。
[判断题]对于给定的单位面积放射性活度，单位时间从表面射出的粒子数取决于源的自吸收以及源和源衬底的反散射。
[简答题]
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015cm-3，计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。
[填空题]N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
[填空题]在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[填空题]在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[判断题]在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
[填空题]为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
[判断题]在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
[填空题]场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
