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[填空题]一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。
[单项选择]虽然机、焦侧焦饼中心温度一致,但焦侧焦饼平均温度()机侧,故随焦饼带走的热量过多,因此,焦侧耗热量大于机侧。
A. 低于
B. 高于
C. 等于
D. 不高于
[简答题]测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
[填空题]焦饼推出到装煤开始的空炉时间不应超过()。
[填空题]焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
[判断题]焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
[填空题]测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
[判断题]配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
[单项选择]焦饼中心的温度为()
A. 1000±50℃
B. 1000℃
C. 1000±20℃
D. 900℃
[判断题]焦饼推出到装煤开始的空炉时间不宜超过8分钟,烧空炉时也不宜超过15分钟。
[单项选择]规定的焦饼中心温度()。
A. (800±50)℃
B. (900±50)℃
C. (1000±50)℃
[填空题]从焦饼推出到装煤开始的空炉时间不超过()分钟,烧空炉时间不宜超过()分钟。
[单项选择]焦饼中心缝产生的主要原因()
A. 加热程度太高
B. 煤的变质程度不够
C. 由于内部气体压力及半焦收缩
D. 集气管压力过大