半导体芯片制造工
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[填空题]热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
[填空题]金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
[填空题]二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
[填空题]铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
[填空题]禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
[填空题]微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。
[填空题]钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
[填空题]钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
[填空题]外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
[填空题]半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
[填空题]半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
[填空题]厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
[填空题]外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
[填空题]在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。
[填空题]硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
[填空题]杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
[填空题]离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
[填空题]芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
[填空题]如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
[填空题]最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

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