更多"外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。"的相关试题:
[判断题]外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
[简答题]热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
[填空题]二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
[填空题]热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
[简答题]CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
[多项选择]在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A. 均匀性
B. 表面平整度
C. 自由应力
D. 纯净度
E. 电容
[单项选择]（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
A. 蒸镀
B. 离子注入
C. 溅射
D. 沉积
[单项选择]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
A. 600～750℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 950～1100℃
[判断题]在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
[判断题]阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
[多项选择]在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
A. 使薄膜的介电常数变大
B. 可能引入杂质
C. 可能使薄膜层间短路
D. 使薄膜介电常数变小
E. 可能使薄膜厚度增加
[单项选择]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
A. 1050～1200℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 1200～1350℃
[简答题]物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
[判断题]蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
[单项选择]溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A. 电子
B. 中性粒子
C. 带能离子
[简答题]假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
[判断题]LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
[简答题]对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
