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[单项选择]如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。
A. 浓度高的区域向浓度低的区域
B. 浓度低的区域向浓度高的区域
C. 一端向另一端
D. 负电子向正空穴
[填空题]P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
[单项选择]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
A. 空穴／自由电子
B. 自由电子／空穴
C. 空穴／共价键电子
D. 负离子／正离子
[填空题]纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（）和（）。
[单项选择]半导体中的载流子为（）。
A. 正离子
B. 负离子
C. 电子
D. 自由电子和空穴
[判断题]N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
[单项选择]P型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[单项选择]N型半导体中的多数载流子是（）。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 束缚电子
D. 晶格上的离子
[填空题]掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
[填空题]半导体中有两种载流子即：自由电子和（）。
[填空题]整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
[单项选择]在P型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[单项选择]在N型半导体中，（）是多数载流子。
A. 空穴
B. 硅
C. 电子
D. 锗
[单项选择]在P型半导体中，（）是少数载流子。
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
[单项选择]部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 质子
C. 空穴
[单项选择]N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[单项选择]P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
A. W型半导体
B. U型半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
[判断题]单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
[单项选择]本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
A. 自由电子，空穴；扩散，飘移
B. 空穴，自由电子；漂移，扩散
C. 空穴，自由电子；扩散，漂移
D. 自由电子，空穴；漂移，扩散
E. 自由电子，空穴；扩散，扩散
